12月10日，據媒體報道，臺積電位于臺灣省新竹寶山工廠的2nm工藝試產已取得顯著成果，良率達到60%，這一數據超出公司內部預期。臺積電計劃在明年上半年于高雄工廠啟動2nm工藝試產工作，這標志著臺積電在先進制程領域的持續領先地位。

晶圓代工行業通常需要70%以上的良率才能滿足量產要求。臺積電目前在2nm工藝試產階段達到60%的良率，表明公司在大規模量產前仍有充足時間優化工藝并進一步提升良率。

臺積電在2nm節點上首度采用了Gate-all-around FETs（GAA）晶體管結構，并結合NanoFlex技術，為芯片設計提供更高靈活性。與現有的N3E工藝相比，N2工藝在性能和能效上均有顯著提升。性能提升，相同功耗下，性能提升10%至15%。能效提升，相同頻率下，功耗降低25%至30%。晶體管密度密度提高15%。

隨著2nm技術的推進，晶圓價格也快速攀升。據消息人士透露，2nm晶圓價格已超過3萬美元，遠高于當前3nm晶圓的1.85萬至2萬美元價格。這意味著2nm工藝的成本將顯著高于前代制程。臺積電的報價因客戶和訂單量不同而有所浮動，部分客戶可能獲得優惠價格，但整體上漲趨勢將影響芯片設計廠商和終端市場。