三星電子2024年底量產(chǎn) 256GB CXL 2.0 內(nèi)存模塊
近日,據(jù)韓媒 ZDNet Korea 報(bào)道,三星電子內(nèi)存部門新業(yè)務(wù)規(guī)劃團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人 Choi Jang Seok 今日表示,三星將在今年底開始量產(chǎn)符合 CXL 2.0 協(xié)議的 256GB CMM-D 2.0 模塊。
該內(nèi)存模組將配備較為成熟的 1y nm(第二代 10+ nm 級(jí))工藝 DRAM 內(nèi)存顆粒,發(fā)揮 CXL 內(nèi)存模塊對(duì) DRAM 顆粒性能要求較低的優(yōu)勢(shì)。未來三星電子還將推出顆粒更為先進(jìn)的版本。
除 CMM-D 外,三星電子還規(guī)劃了多個(gè)類型的 CXL 存儲(chǔ)產(chǎn)品,包含配備多個(gè) CMM-D 模塊的 CMM-B 內(nèi)存盒模組、同時(shí)搭載 DRAM 內(nèi)存和 NAND 閃存顆粒的 CMM-H 混合存儲(chǔ)模組。
Choi Jang Seok 提到三星電子正在內(nèi)部研究另一類名為 CMM-DC 產(chǎn)品,其在 CMM-D 的基礎(chǔ)上還具備計(jì)算能力。
展望未來,Choi Jang Seok 稱:“當(dāng) CXL 3.1 和池化技術(shù)得到支持后,CXL 市場(chǎng)將在 2028 年左右全面開花!