近日，在2024 IEEE VLSI 研討會上，英特爾詳細介紹了其最新的 Intel 3 工藝節點。這是英特爾最后一代 FinFET 晶體管工藝，相較于前代的 Intel 4 工藝，Intel 3 工藝在多個方面進行了改進和提升。

英特爾將 Intel 3 定位為一個長期提供代工服務的節點家族，包含基礎 Intel 3 和三個變體節點。

以下是各變體節點的主要特點：

- Intel 3-E：原生支持 1.2V 高電壓，特別適合模擬模塊的制造。

- Intel 3-PT：進一步提升整體性能，支持更精細的 9μm 間距 TSV 和混合鍵合，旨在成為未來多年的主流選擇。

技術細節和優勢詳解：

1. EUV 技術應用：相較于 Intel 4 工藝，Intel 3 增加了使用極紫外光刻（EUV）的步驟，從而提高了制造精度和效率。

2. 高密度（HD）庫：Intel 3 引入了 210nm 的高密度庫，與 Intel 4 工藝的 240nm 高性能庫相比，在晶體管性能取向上提供了更多選擇。英特爾表示，采用高密度庫的基礎 Intel 3 工藝可使頻率相較于 Intel 4 提升至多 18%。

3. 密度提升：基礎版 Intel 3 工藝的密度相比 Intel 4 增加了 10%，實現了“全節點”級別的提升。

晶體管結構與金屬布線層

晶體管結構：英特爾在 Intel 3 節點的晶體管結構上做了優化，使其在性能和功耗方面均有顯著提升。

金屬布線層：Intel 3 在 Intel 4 的 14+2 層基礎上，提供了 12+2 和 19+2 兩種新選項，分別面向低成本和高性能用途。具體到每個金屬層，英特爾在關鍵層 M0 和 M1 上保持了與 Intel 4 相同的間距，而 M2 和 M4 的間距則從 45nm 降低至 42nm，以提升布線密度和性能。

英特爾的 Intel 3 工藝節點憑借其在晶體管性能、密度和金屬布線層方面的多項改進，成為英特爾的“終極 FinFET 工藝”。未來，Intel 3-PT 預計將與更先進的埃米級工藝節點一同被廣泛應用于內外部代工客戶，助力高性能計算和低功耗設備的發展。英特爾的這一系列創新，無疑將在半導體行業引發廣泛關注，并推動下一代技術的進步。