近日，英特爾（Intel）宣布完成了世界首臺商用高數值孔徑（High NA）EUV光刻機的安裝，這標志著該公司在芯片制造技術領域的又一次重大突破。這臺耗資約3.5億美元（約合人民幣25.23億元）的龐然大物即將在今年內正式啟用。

根據TheElec的報道，ASML公司截至明年上半年絕大部分高數值孔徑EUV設備的訂單已由英特爾承包，其中今年計劃生產的五套設備將全部交付給這家美國芯片制造商。消息人士透露，由于ASML的高數值孔徑EUV設備產能每年約為5到6臺，這意味著英特爾將獲得所有初始庫存，而其競爭對手三星和SK海力士預計將在明年下半年才能獲得該設備。

對于高數值孔徑的意義，簡單解釋一下：光刻設備中的NA代表數值孔徑，表示光學系統收集和聚光的能力。而高數值孔徑EUV設備的NA值達到了0.55，相比于當前EUV設備的0.33，其聚光能力更強。這不僅可以在一維尺度上實現1.7倍的密度提升，在二維尺度上更是可以達到190%的密度提升，為芯片制造帶來了巨大的進步。

英特爾代工旗下邏輯技術開發部門的光刻、硬件和解決方案主管菲利普斯表示，英特爾將于今年晚些時候將高數值孔徑EUV光刻機投入制程開發工作。該公司將在18A尺度的概念驗證節點上對高數值孔徑EUV和傳統0.33NA EUV光刻的混合使用進行測試，并在之后的14A節點上進入商業化量產階段。

菲利普斯預測，高數值孔徑EUV光刻機至少可在未來三代節點上沿用，從而將光刻技術的名義尺度突破到1納米以下量級。同時，他認為將光線波長進一步縮短至6.7納米可能會引入新的問題，因此更高的數值孔徑（Hyper NA）可能是未來的技術方向之一。

面對高數值孔徑EUV光刻帶來的單芯片理論最大面積減小問題，菲利普斯表示，英特爾正在與EDA企業合作開發芯片“縫合”技術，以方便設計師使用。英特爾此次包圓ASML初始產能，獲得今年全部高數值孔徑EUV光刻機，表明其在芯片制造領域的雄心和實力。盡管其代工業務去年虧損了70億美元，但這一重大進展將有助于英特爾加速在芯片制造技術上的領先優勢，贏得更多客戶的信任與合作。