三星電子是全球領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商，其產(chǎn)品涵蓋了從DRAM到NAND Flash的各種類型。在2024年2月，三星Samsung將在美國(guó)舊金山舉行的IEEE國(guó)際固態(tài)電路峰會(huì) (ISSCC) 上展示其最新的內(nèi)存技術(shù)，包括GDDR7和DDR5。

GDDR7是一種專為高性能圖形處理器 (GPU) 和游戲機(jī)設(shè)計(jì)的內(nèi)存，它提供了比GDDR6 更高的帶寬和更低的功耗。三星Samsung已經(jīng)在2023年11月的高密度內(nèi)存和接口會(huì)議 (HDMI) 上公布了GDDR7的部分細(xì)節(jié)，包括其采用了8納米 (nm) 級(jí)工藝技術(shù)和16GB容量的芯片。據(jù)報(bào)道，GDDR7的I / O速度可達(dá)每個(gè)引腳20Gbps，比GDDR6高出一倍。

據(jù)鉍讀網(wǎng)了解，除了GDDR7，三星Samsung還將在ISSCC上發(fā)布一款全新的DDR5內(nèi)存芯片，這是一種面向服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心的內(nèi)存，它也提供了比 DDR4 更高的帶寬和更低的功耗。這款 DDR5芯片采用了12nm 級(jí)工藝技術(shù)和32GB容量，是目前市場(chǎng)上最大容量的DDR5芯片。這意味著，在不使用硅通孔 (TSV) 工藝的情況下，可以制造出高達(dá)128GB的DRAM模塊，這對(duì)于需要大量?jī)?nèi)存的人工智能 (AI) 和大數(shù)據(jù)應(yīng)用來(lái)說(shuō)是非常有利的。

三星表示，這款 DDR5 芯片的 I / O 速度可達(dá)每個(gè)引腳 8000Mbps，并且采用了三星第五代 10nm 級(jí)晶圓代工節(jié)點(diǎn)的 Symmetric-Mosaic 架構(gòu)設(shè)計(jì)，這是一種專為 DRAM 產(chǎn)品優(yōu)化的設(shè)計(jì)方法。三星還表示，這款DDR5芯片可以實(shí)現(xiàn)單通道配置下的32GB和48 GB DIMM，以及雙通道配置下的64GB和96GB DIMM。

三星電子內(nèi)存產(chǎn)品和技術(shù)執(zhí)行副總裁SangJoon Hwang在ISSCC上發(fā)表演講時(shí)說(shuō)：“我們很高興能夠在ISSCC上展示我們最新的內(nèi)存技術(shù)，包括GDDR7和DDR5。這些技術(shù)將為 GPU、服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域提供更高的性能、更低的功耗和更大的容量。我們將繼續(xù)推動(dòng)內(nèi)存技術(shù)的創(chuàng)新，滿足未來(lái)計(jì)算需求。”

三星Samsung預(yù)計(jì)將在今年下半年開始量產(chǎn)GDDR7和DDR5芯片，并計(jì)劃在未來(lái)幾年內(nèi)進(jìn)一步提升其內(nèi)存產(chǎn)品的性能和容量。