近日，據Business Korea報道，SK海力士公司副總裁Chun-hwan Kim在SEMICON Korea 2024大會上表示，他們正計劃于2026年之前實現HBM4的量產，以滿足生成式人工智能快速發展帶來的巨大需求。生成式人工智能市場預計將以每年 35% 的速度增長，這將推動處理器性能的提升，進而對內存帶寬提出更高的要求。

HBM4內存將是HBM系列的最新成員，它將在HBM3E的基礎上進一步提升內存帶寬和容量。HBM4 將采用 2048 位接口，理論峰值帶寬可超過1.5TB / s。為了控制功耗，HBM4 的數據傳輸速率預計保持在6GT/s左右。不過，2048 位接口需要更復雜的布線設計，這將導致 HBM4 的成本高于 HBM3 和 HBM3E。

目前單顆HBM3E內存堆棧能夠提供高達1.2TB / s 的理論峰值帶寬，如果一個內存子系統包含 6 個堆棧，總帶寬則可達到驚人的 7.2 TB / s。然而，理論值與實際應用之間存在差距。例如，英偉達的 H200 顯卡雖然搭載了 HBM3E 內存，但其提供的帶寬“只有”4.8 TB / s，這可能是出于可靠性和功耗方面的考慮。

據鉍讀網了解，除了SK 海力士，三星也在積極研發 HBM4 內存，并同樣計劃于 2026 年量產。值得一提的是，三星還針對特定客戶開發定制化 HBM 內存解決方案。

三星內存業務執行副總裁Jaejune Kim表示：“HBM4目前正在開發中，預計在2025年提供樣品，2026 年實現量產。由于生成式人工智能的需求，定制化HBM內存也越來越受歡迎。我們不僅在開發標準產品，還將與關鍵客戶討論通過添加邏輯芯片為每個客戶定制優化性能的 HBM 內存。”HBM4內存將為AI和HPC行業帶來新的可能性和機遇。隨著技術的不斷進步和市場的不斷擴大，我們期待看到更多創新和應用出現在這個領域。