英特爾繼續推進摩爾定律：芯片背面供電，突破互連瓶頸
2023-12-11 08:57:23 |
嫣然 |
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近日，有媒體報道，12月9日，英特爾在IEDM 2023（2023 IEEE 國際電子器件會議）上展示了使用背面電源觸點將晶體管縮小到1納米及以上范圍的關鍵技術。英特爾表示將在2030年前實現在單個封裝內集成1萬億個晶體管。
英特爾表示，其將繼續推進摩爾定律的研究進展，包括背面供電和直接背面觸點（direct backside contacts）的3D堆疊CMOS晶體管，背面供電研發突破的擴展路徑（如背面觸點），并在同一塊300毫米晶圓上（而非封裝）中實現硅晶體管與氮化鎵（GaN）晶體管的大規模單片3D集成。
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