近日，據報道，臺積電預計將于今年年底從 ASML 接收首批全球最先進的高數值孔徑極紫外光刻機，僅比英特爾晚了幾個月。

Digitimes 今年 9 月還曾報道稱，臺積電首部 High NA EUV 設備的購入價格遠低于原定的 3.5 億歐元報價。供應鏈表示，隨著未來 3nm 產能滿載與預計 2025 年 Q4 量產的 2nm 制程客戶訂單陸續落袋，臺積電已重啟 EUV 設備拉貨動能，估計此波新單規模約達 70 臺。

據報道，被稱為高數值孔徑極紫外（High NA EUV）光刻機，是世界上最昂貴的芯片制造設備，每臺的價格約為3.5億美元。臺積電、英特爾和三星是目前僅有的幾家仍在競相生產體積更小、性能更強半導體產品的全球芯片制造商，他們都嚴重依賴ASML的設備。

有消息人士透露，臺積電將在本季度在其位于中國臺灣新竹總部附近的研發中心安裝新的High NA EUV光刻機。在新設備用于大規模芯片生產之前，需要進行廣泛的研究和工程工作，但消息人士稱，臺積電認為沒有必要急于采取行動，“根據目前的研發成果，并不迫切需要使用最新版本的High NA EUV光刻機，但臺積電不排除進行全面尋路和工程工作的機會，并利用業界最先進的設備進行試運行，該公司的目標是保留所有選擇。”

消息人士稱，臺積電可能會在推出A10生產技術后才會考慮使用這些機器進行商業生產，可能在2030年之后。據悉，A10技術比臺積電計劃在2025年底投入生產的2nm技術高出大約兩代。