近日，在 SPIE 大會(huì)上，ASML 新任 CEO 傅恪禮（Christophe Fouquet）發(fā)表演講，重點(diǎn)介紹了備受期待的 High NA EUV 光刻機(jī)。他表示，與最初的 EUV 光刻機(jī)相比，High NA EUV 的發(fā)布不太可能出現(xiàn)延遲。傅恪禮還透露，ASML 正在探索一種新方法，即在客戶工廠直接組裝掃描儀子組件，省去拆卸及再組裝的過(guò)程，這將顯著節(jié)省時(shí)間和成本，加快 High NA EUV 光刻機(jī)的開發(fā)與交付。

隨后，英特爾院士兼光刻總監(jiān) Mark Phillips 上臺(tái)發(fā)言，宣布英特爾已在波特蘭工廠成功安裝了兩臺(tái) High NA 光刻系統(tǒng)。他分享了相較于標(biāo)準(zhǔn) EUV 光刻機(jī)，High NA 技術(shù)所帶來(lái)的改進(jìn)超出了預(yù)期。此外，憑借以往的經(jīng)驗(yàn)，第二臺(tái)光刻系統(tǒng)的安裝速度比第一臺(tái)更快，相關(guān)基礎(chǔ)設(shè)施已經(jīng)到位并開始運(yùn)行，光刻掩模檢測(cè)工作也在按計(jì)劃進(jìn)行。

在回答關(guān)于化學(xué)放大抗蝕劑（CAR）與金屬氧化物抗蝕劑的問(wèn)題時(shí)，Mark 表示，目前 CAR 足夠使用，但未來(lái)可能需要金屬氧化物光刻膠。英特爾的目標(biāo)是在 Intel 14A 工藝中實(shí)現(xiàn)這些技術(shù)，預(yù)計(jì)將在 2026 至 2027 年間量產(chǎn)，進(jìn)展可能比預(yù)期更快。